engineering recuitment HAL Management & Design Trainee Mock Test 2023 Electronic Devices Carrier Transport Carrier Diffusion
T = 300 K पर n - प्रकार के गैलियम आर्सेनाइड अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन संकेंद्रण 0.1 cm की दूरी पर 1 × 1018 से 7 × 1017 cm-3 तक रैखिक रूप से अलग होता है। यदि इलेक्ट्रॉन विसरण गुणांक Dn = 200 cm2/s है तो विसरण धारा घनत्व कितना है?
1
90 A/cm2
2
100 A/cm2
3
96 A/cm2
4
108 A/cm2