निम्नलिखित समान रूप से डोपित n-प्रकार Si नमूने पर विचार करें जिसकी लंबाई 100 μm है, जिसे T = 300K, \(\rm \mu _p = 400 \ \frac{cm^2}{v -sec}, n_i = 10^{10} cm^{-3}\) पर बनाए रखा गया है।

सतह पर आपतित प्रकाश x = 0 पर अवशोषित होता है, जिसके परिणामस्वरूप pn (0) - p0 = 108 / cm3 अतिरिक्त छिद्र x = 0 पर होते हैं। x> 0 के लिए उत्पादन दर शून्य है)

x के फलन के रूप में अल्पसंख्यक आवेश वाहक (छिद्र) का व्यंजक _____ है।