एक NMOS में I_d = 5 mA, V_gs = 2 V, V_ds = 4 V और V_t = 0.8 V होता है। यदि ऑक्साइड की मोटाई 500 A° है, तो कमरे के तापमान पर उपकरण का अभिमुखता अनुपात ___ है।