engineering recuitment GATE ECE 2023-24 Test Series Electronic Devices Junction Field Effect Transistor Pinch-Off and Saturation
नीचे दिए गए परिपथ में एक n चैनल E केवल MOSFET का उपयोग किया जाता है जिसमें VT = 1 V, \(\mu_nC_{ox} \frac{W}{L}=0.3 mA/V^2)\), V0 खोजें।
1
4 V
2
5 V
3
3.35 V
4
10 V