यदि N अवस्तर का अपमिश्रण स्तर है और V एक MOSFET में संधि पर प्रभावी वोल्टेज है, तो संधि के लिए अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई निम्न द्वारा दी जाती है:
1
\(\rm\sqrt{\frac{2 \epsilon_{st} \epsilon_0 V}{q N}}\)
2
\(\rm\sqrt{\frac{2 \epsilon_{st} \epsilon_{0}qv}{N}}\)
3
\(\rm\sqrt{\frac{2 \epsilon_{st} N}{qV}}\)
4
\(\rm\frac{2 \epsilon_{st} \epsilon_0 V}{q N}\)