300 K पर शुद्ध Si में 1.5 × 10¹⁶ m^-3 के बराबर इलेक्ट्रॉन (n_e) और छिद्र (n_h) की सांद्रता होती है। इंडियम द्वारा डोपिंग n_h से 3 × 10²² m^-3 की वृद्धि कर देती है। डोपित Si में n_e की गणना कीजिए।