engineering recuitment BEL Probationary Engineers Mock Test 2025 Electronic Devices Device Technology
एक विशिष्ट सिलिकॉन गेट n - MOS ट्रांजिस्टर में शामिल पहले से अंतिम चरण का क्रम है
(A) गेट ऑक्सीकरण
(B) संपर्क कटौती
(C) SiO2 परत संरूपण
(D) प्रतिरोप या विसरण
(E) एल्यूमीनियम परत का संरूपण
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनिए:
(1) (C), (D), (A), (B), (E)
(2) (B), (D), (A), (C), (E)
(3) (C), (A), (D), (B), (E)
(4) (B), (A), (D), (E), (C)
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