engineering recuitment UPPSC AE Mock Test 2024 Power Electronics and Drives Power Semiconductor Diodes and Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor
अवरोधित गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर (IGBT) के बारे में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?
1
IGBT को BJT और MOSFET की विशेषताओं को मिलाकर विकसित किया गया है
2
एक IGBT के चालू-अवस्था नुकसान MOSFET से कम हैं
3
IGBT BJT की तुलना में धीमा है
4
IGBT में एक पराश्रयी थाइरिस्टर होता है