railway RRB JE (CBT I + CBT II) Mock Test 2024 Electronic Devices Junction Field Effect Transistor Pinch-Off and Saturation
n-चैनल सिलिकॉन FET के लिए चैनल की आधी चौड़ाई ज्ञात कीजिए, जिसका गेट-से-स्रोत वोल्टेज, VGS = Vp/4 है, जहाँ Vp पिंच-ऑफ वोल्टेज है और ड्रेन धारा, Id = 0 है।
(मान लीजिये (a) दाता सांद्रता ND = 1015 इलेक्ट्रॉन/cm3. (b) VGS = 0 V के लिए चैनल की आधी चौड़ाई 3μm है।)
1
2.25 μm
2
3 μm
3
1.5 μm
4
0.75 μm