एक MOSFET में, SiO₂ 5 x 10⁶ V/cm के क्रम के विद्युत क्षेत्र में टूट जाता है। 1000 एंगस्ट्रॉम की गेट ऑक्साइड मोटाई और 2 μm की चैनल मोटाई के लिए, यह अधिकतम कितना V_GS सहन कर सकता है?