railway RRB JE (CBT I + CBT II) Mock Test 2024 Electronic Devices MOSFET

एक MOSFET  में तापीय रूप से विकसित सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत के लिए, गेट और चैनल के बीच क्षरण धारा होती है:

1
0
2
बहुत कम 
3
अधिक 
4
बहुत अधिक 
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