गैलियम नाइट्राइड (GaN) नैनोस्ट्रक्चर के संबंध में निम्नलिखित पर विचार करें:
1. यह एक बहुत कठोर और यांत्रिक रूप से स्थिर वाइड बैंड गैप (WBG) सेमीकंडक्टर है।
2. गैलियम नाइट्राइड के महत्वपूर्ण कारक धीमी स्विचिंग गति और उच्च प्रतिरोध हैं।
उपरोक्त में से कौन सा/से गलत है/हैं?
1
केवल 1
2
केवल 2
3
1 और 2 दोनों
4
न तो 1 और न ही 2